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    漏电微光显微镜分析仪
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u主要用途
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时,产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子,由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置,通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。
u 
性能参数
a)InGaAs检测器,分辨率:320*256 像素;
b)侦测波长范围900nm - 1700nm
c)像素尺寸:30um x 30um
d)曝光时间 20ms - 400s
e)放大倍率:25x, 50x, 200x ,1000x
f)Back side EMMI
u
 
应用范围
 1.P-N接面漏电
 2.饱和区晶体管的热电子
 3.P-N接面崩溃
 4.闩锁效应
 5.氧化层漏电流产生的光子激发
 
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