Precon

超声波扫描（Pre-SAM）—烘烤—温湿度浸泡—reflow—超声波扫描（Post-SAM）；模拟IC在使用之前在一定的温度、湿度下存储的耐久力，也就是IC在生产到使用之间存储的可靠性。

TC

评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。试验是以常温—低温—低温停留—高温—高温停留—常温作为一个循环，执行温度循环的严厉程度以高/低温的范围，停留时间以及循环数来决定。

失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层；

测试规范：JESD22-A104

HAST

评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下，对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。如果半导体封装不好的话，湿气会沿着胶体或胶体与导线架之接口渗入封装体中。

失效机制：电离腐蚀，动金属化区域腐蚀造成之断路，封装体引脚间因污染造成之短路，封装气密性

测试规范：JESD22-A118

一般常见的老化寿命实验方法有BI(Burn-in),EFR(Early Failure Rate),HTOL(High Temperature Operating Life),HTGB(High Temperature Gate Bias),HTRB(High Temperature Reverse Bias),BLT(Bias Life Test)

评估器件在超热和超电压的情况下，一段时间的耐久力。

失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性；

实验规范：JESD22-A108